立昂东芯第二代高频率高可靠性InGaP HBT工艺技术LH06 PDK于2021年10月成功释放给国内顶级射频芯片设计公司，为知名手机终端客户设计5G手机用芯片加快进程。

立昂东芯第二代InGaP HBT工艺技术基于不同的异质结新思路，新技术注重了线性度、效率、可靠性以及生产成本的考量，采用业界先进的全自动高精度湿法蚀刻机台，其效率（PAE）和抗失配（Ruggedness）特性均达到世界领先水平。

配合国内顶级设计公司的设计，立昂东芯将充分利用其FAB先进的工艺制程能力和严格的质量管理，以及丰富的生产经验和一流的解决问题能力，会迅速将先进的为5G应用开发的第二代InGaP HBT工艺技术推向市场，并将很快打破所谓“大陆做不了5G PA芯片代工”的谬论。